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推荐系列

650V/700V Multi-EPI SJ MOS

大阳城集团优势

"基于革命性超结 (SJ) 原理设计,使用先进的多次外延(Multi-EPI)工艺技术制造,拥有更优的EMI特性,更容易通过安规认证;超低导通电阻和结电容,有效降低导通损耗和开关损耗,效率高,发热小,可以适应更高的开关频率;DFN超薄外形封装,可应用于小体积PD快速充电器。 "


系统概述

反激是指反激高频变压器隔离输入输出回路的开关电源,mos导通时,输出变压器充当电感,电能转化为磁能,此时输出回路无电流,相反,当mos关断时,输出变压器释放能量,磁能转化为电能,输出回路有电流。反激电路元器件少,电路简单成本低体积小可同时输出多路互相隔离的电路。

系统原理图
大阳城集团列表
大阳城集团系列大阳城集团型号
Multi-EPI SJ TPG65R125MH
TPG65R175MH
TPG65R280MH
TPG65R360M
TPG65R365MH
TPG70R125MH
TPG70R600M


推荐系列

DT MOS/Trench MOS

大阳城集团优势

DT MOSFET是采用了具有降低表面电场(Reduced Surface) 原理的屏蔽栅(或称为分立栅)MOSFET技术(Shield/Split Gate )的Trench MOSFET,从而降低器件的比导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。

Trench MOS优化了芯片的元胞设计和版图布局,可以提高器件各个方向的电流均匀性,有效防止在极限工作下部分区域的提前失效,增强了大阳城集团功率密度和可靠性

系统概述

同步整流Rectification MOSFET在开关电源中用于提高电源的效率,它替代输出整流二极管,利用其导通内阻低的特点弥补二极管导通损耗高的缺陷。

系统原理图
大阳城集团列表
大阳城集团系列大阳城集团型号
DT TSD120N10AT
TSG120N10AT
TSP120N10AT
TSG048N10AT
Trench TTP145N08A
TTB145N08A
TMB140N08A
TMB140N10A